2024-10-28 23:10:20
**常用的靶材包括氧化鋁、氮化硅、氧化鈦、金屬鋁、銅等材料。對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)而言,精密的制備和純凈的材料質(zhì)量是非常關(guān)鍵的。靶材的影響因素主要包括靶材材料的純度和制備工藝。高純度的靶材材料能夠保證制備出的薄膜成分純度更高,由此得到的器件的性能也會(huì)更穩(wěn)定,更有可靠性。同時(shí),制備過(guò)程中的工藝控制也是非常關(guān)鍵的??刂瓢胁牡募訜釡囟取R射功率等參數(shù)可以實(shí)現(xiàn)精密的控制制備,從而得到質(zhì)量更好的薄膜。靶材的種類及制備工藝銅靶材在半導(dǎo)體制造中用于沉積導(dǎo)電層。上海氧化鋅靶材一般多少錢
??靶材是一種用于高能激光**中的材料,通過(guò)高速荷能粒子的轟擊,靶材會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。?靶材的主要用途包括在?微電子、?顯示器、?存儲(chǔ)器以及?光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)中,用于濺射制備各種薄膜材料。這些薄膜材料在半導(dǎo)體工業(yè)中扮演著重要角色,其質(zhì)量直接影響到器件的性能。靶材的種類繁多,包括?金屬靶材、?合金靶材、?陶瓷靶材等。為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過(guò)程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材,晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。江蘇氧化鋅靶材市場(chǎng)價(jià)這對(duì)于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。
適宜的存儲(chǔ)環(huán)境:應(yīng)將鎳靶材存放在干燥、陰涼、通風(fēng)良好的環(huán)境中。避免高濕度和極端溫度,因?yàn)檫@些條件可能導(dǎo)致材料氧化或其他化學(xué)變化。防止污染:存儲(chǔ)鎳靶材時(shí),應(yīng)避免與其他化學(xué)品或污染源直接接觸,以防止表面污染或化學(xué)反應(yīng)。防塵措施:在存儲(chǔ)和搬運(yùn)過(guò)程中,需保持環(huán)境的潔凈,避免塵埃和顆粒物沉積在靶材表面,這些顆??赡苡绊懫湓跒R射過(guò)程中的性能。包裝和防護(hù):使用原廠包裝或適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)材料(如防靜電袋)進(jìn)行封裝,保護(hù)鎳靶材不受物理?yè)p傷或環(huán)境影響。定期檢查:定期檢查鎳靶材的狀態(tài),特別是在長(zhǎng)期存儲(chǔ)后。檢查是否有氧化、變色或其他形式的退化。正確搬運(yùn):在搬運(yùn)鎳靶材時(shí),應(yīng)小心輕放,避免跌落或撞擊,因?yàn)槲锢頁(yè)p傷可能影響材料的結(jié)構(gòu)和性能。使用后的處理:使用過(guò)的鎳靶材應(yīng)根據(jù)其化學(xué)和物理狀態(tài)妥善處理。如果有可回收價(jià)值,應(yīng)考慮回收再利用。
研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過(guò)程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料,因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中,用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材,直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比,具有沉積速度快,膜質(zhì)優(yōu)良,工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是,此法成膜過(guò)程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化,生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤,本文稱此現(xiàn)象為??靶材毒化,毒化使濺射速率下降,膜質(zhì)劣化,迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射,嚴(yán)重影響了鍍膜效率。不過(guò),在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn),便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。
(2)制造加工:塑性變形、熱處理、控制晶粒取向:需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì),然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理,需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo),再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序精細(xì)繁多,技術(shù)門(mén)檻高、設(shè)備投資大,具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。靶材制造的方法主要有熔煉法與粉末冶金法。熔煉法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法,通過(guò)機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材,該方法得到的靶材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化、內(nèi)部無(wú)氣孔,但若兩種合金熔點(diǎn)、密度差異較大則無(wú)法形成均勻合金靶材。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法,通過(guò)將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材,該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分較為均勻、機(jī)械性能好,缺點(diǎn)為含氧量較高。通過(guò)不同的激光(離子光束)和不同的靶材相互作用得到不同的膜系。天津鍍膜靶材咨詢報(bào)價(jià)
正確的包裝和儲(chǔ)存對(duì)于保持靶材的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。上海氧化鋅靶材一般多少錢
平面顯示器(FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng),亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜,但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率,并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取**種方法生產(chǎn)ITO靶材,利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜.它具有沉積速度快.且能精確控制膜厚,電導(dǎo)率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。上海氧化鋅靶材一般多少錢